PHASE COMPOSITION, STRUCTURE, AND MAGNETIC PROPERTIES OF Cd1–хZnхTe SOLID SOLUTIONS AT LOW Zn CONCENTRATIONS

P. L. Podkur; Подкур П. Л.; I. S. Volchkov; Волчков И. С.; M. D. Pavlyuk; Павлюк М. Д.; V. B. Kvartalov; Кварталов В. Б.; R. B. Morgunov; Моргунов Р. Б.; V. M. Kanevskii; Каневский В. М.

doi:10.31857/S0023476123010216

Фазовый состав, структура и магнитные свойства твердых растворов Cd_1хZn_хTe при малых концентрациях Zn

Авторы: Подкур П.Л.¹^,2, Волчков И.С.¹, Павлюк М.Д.¹, Кварталов В.Б.¹, Моргунов Р.Б.³, Каневский В.М.¹
Учреждения:
1. Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН
2. МИРЭА – Российский технологический университет
3. Институт проблем химической физики РАН
Выпуск: Том 68, № 1 (2023)
Страницы: 51-57
Раздел: ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ
URL: https://rjmseer.com/0023-4761/article/view/673540
DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476123010216
EDN: https://elibrary.ru/DQOFHG
ID: 673540

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Модифицированным методом Обреимова–Шубникова получены поликристаллические слитки Cd $_{1 - - х}$ Zn_хTe (x = 0.005, 0.03, 0.05). Отобранные монокристаллические блоки изучены методами рентгенофазового анализа, измерения электрических характеристик и магнитометрии. Исследована концентрационная зависимость изменения магнитных и электрических свойств кристаллов. Установлено, что при концентрации Zn (x = 0.03, 0.05) наблюдается ферромагнитное упорядочение в кластерах (включениях), содержащих железо и/или никель при 2 К, чего не наблюдается на образцах Cd $_{1 - - х}$ Zn_хTe (x = 0.005).

Ключевые слова

Cd1–хZnхTe SOLID SOLUTIONS, PHASE COMPOSITION, STRUCTURE, MAGNETIC PROPERTIES

Список литературы

Owens A., Peacock A. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2004. V. 531. P. 18. https://doi.org/10.1016/j.nima.2004.05.071
Takeda S. Experimental study of a Si/CdTe semiconductor Compton camera for the next generation of gamma-ray astronomy / Ph. D. Thesis. University of Tokyo. 2009.
Hubbell J.H., Seltzer S.M. Tables of X-Ray Mass Attenuation Coefficients and Mass Energy-Absorption Coefficients from 1 keV to 20 MeV for Elements Z = 1 to 92 and 48 Additional Substances of Dosimetric Interest // National Institute of Standards and Technology. 2004. NISTIR 5632. https://doi.org/10.18434/T4D01F
Del Sordo S., Abbene L., Caroli E. et al. // Sensors. 2009. V. 9 № 5. P. 3491. https://doi.org/10.3390/s90503491
Duarte D.D. Edge effects in a pixelated CdTe radiation detector / Ph. D. Thesis. University of Surrey. 2016. https://doi.org/10.13140/RG.2.2.20470.86081
Chaouai Z., Daniel G., Martinez J.M. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2022. V. 1033. P. 166670. https://doi.org/10.1016/j.nima.2022.166670
Clements N., Richtsmeier D., Hart A., Bazalova-Carter M. // J. Instrumentation. 2022. V. 17. P. 1004. https://doi.org/10.1088/1748-0221/17/01/P01004
Brombal L., Donato S., Brun F. et al. // J. Synchrotron Radiat. 2018. V. 25. P. 1068. https://doi.org/10.1107/S1600577518006197
Chen Y., Wang X., Song Q. et al. // AIP Adv. 2018. V. 8. P. 105113. https://doi.org/10.1063/1.5052027
Krucker S., Benz A.O., Hurfordal G.J. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2013. V. 732. P. 295. https://doi.org/10.1016/j.nima.2013.05.050
Krause L., Tolborg K., Gronbech T.B.E. et al. // J. Appl. Cryst. 2020. V. 53. P. 635. https://doi.org/10.1107/S1600576720003775
Павлюк М.Д. Дис. “Детекторные кристаллы на основе CdTe и Cd1 – xZnxTe для прямого счета рентгеновских и гамма-квантов”… канд. физ.-мат. наук. М.: ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН, 2020.
Шалдин Ю.В., Вархульска И., Рабаданов М.Х., Комарь В.К. // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. С. 300.
Raiss A.A., Sbai Y., Bahmad L., Benyoussef A. // J. Magn. Magn. Mater. 2015. V. 385. P. 295. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2015.02.077
Goumrhar F., Bahmad L., Mounkachi O., Benyoussef A. // J. Magn. Magn. Mater. 2017. V. 428. P. 368. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2016.12.041
Chavan K.T., Chandra S., Kshirsagar A. // Mater. Today Commun. 2022. V. 30. P. 103104. https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2021.103104
Allahgholi A., Becker J., Delfs A. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2019. V. 942. P. 1. https://doi.org/10.1016/j.nima.2019.06.065
Zerrai A., Cherkaoui K., Marrakchi G. et al. // J. Cryst. Growth. 1999. V. 197. P. 646. https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00763-5
Marbeuf A., Druilhe R., Triboulet R., Patriarche G. // J. Cryst. Growth. 1992. V. 117. P. 10. https://doi.org/10.1016/0022-0248(92)90707-P
Аветисов И.Х. Дис. “Физико-химические основы технологии кристаллических халькогенидов кадмия и цинка с контролируемой стехиометрией” … д-ра физ.-мат. наук. М.: РХТУ им. Д.И. Менделеева, 2011.
Косяченко А.А., Склярчук В.М., Склярчук О.В., Маслянчук О.Л. // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. С. 1323.
Prokesch M., Szeles C. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 014503. https://doi.org/10.1063/1.2209192
Кондрик А.И. // Функциональная микроэлектроника. 2004. № 6. С. 17.
Pavlyuk M.D., Subbotin I.A., Kanevsky V.M., Artemov V.V. // J. Cryst. Growth. 2017. V. 457. P. 112. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.06.046
Ivanov Yu.M. // J. Cryst. Growth. 1998. V. 194. P. 309. https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00620-4
Павлюк М.Д., Каневский В.М., Иванов Ю.М. // Журн. неорган. химии. 2013. Т. 58. С. 1082. https://doi.org/10.7868/S0044457X13080187
Кондрик А.И., Ковтун Г.П. // Материалы электроники. 2019. № 4–5. С. 43. https://doi.org/10.15222/TKEA2019.5-6.43
Ivanov Yu.M., Artemov V.V., Kanevsky V.M. et al. // Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2004. V. 27. P. 371. https://doi.org/10.1051/epjap:2004086
Комарь В.К., Наливайко Д.П., Герасименко А.С. и др. // Поверхность. Рентген. синхротр. и нейтр. исследования 2002. Т. 3. С. 94.