Автор туралы ақпарат
Сироткин, В. В.
| Шығарылым | Бөлім | Атауы | Файл |
| Том 52, № 5 (2023) | МОДЕЛИРОВАНИЕ | A Computer Investigation of the Effect of High-Resistance Layer Inhomogeneities on Resistive Switching in a Bismuth Selenide Microcrystal Structure |
Пайдаланушы
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Förster effect
bipolar transistor
charge qubit
etching
fluorine atoms
fluorocarbon gases
gas temperature
kinetics
magnetron sputtering
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
quantum dot
radiation intensity
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
specific power
Ағымдағы шығарылым
Том 54, № 1 (2025)
×
Пайдаланушы
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Förster effect
bipolar transistor
charge qubit
etching
fluorine atoms
fluorocarbon gases
gas temperature
kinetics
magnetron sputtering
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
quantum dot
radiation intensity
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
specific power
Ағымдағы шығарылым