GALLIUM NANOPARTICLES OBTAINED ON SILICON SUBSTRATES BY THERMAL EVAPORATION METHOD

G. N. Kozhemyakin; Кожемякин Г. Н.; Yu. S. Belov; Белов Ю. С.; M. K. Trufanova; Труфанова М. К.; V. V. Artemov; Артемов В. В.; I. S. Volchkov; Волчков И. С.

doi:10.31857/S0023476123020091

Получение наночастиц галлия на кремниевых подложках методом термического испарения

Авторы: Кожемякин Г.Н.¹, Белов Ю.С.², Труфанова М.К.³, Артемов В.В.¹, Волчков И.С.¹
Учреждения:
1. Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН
2. Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
3. Луганский государственный университет им. Владимира Даля
Выпуск: Том 68, № 2 (2023)
Страницы: 313-318
Раздел: НАНОМАТЕРИАЛЫ, КЕРАМИКА
URL: https://rjmseer.com/0023-4761/article/view/673526
DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476123020091
EDN: https://elibrary.ru/BQEGYD
ID: 673526

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Наноструктуры галлия получены на кремниевых подложках методом термического испарения в атмосфере аргона. С помощью компьютерной обработки электронных микрофотографий определены размеры, плотность и форма частиц Ga. Конденсация Ga на кремниевых подложках в течение 10, 15 и 20 с обеспечила формирование частиц нескольких типов: сферической, треугольной, квадратной форм, а также в виде стержней и многогранников. Увеличение времени конденсации Ga до 20 с способствовало увеличению плотности сферических наночастиц на 41%.

Ключевые слова

GALLIUM NANOPARTICLES, THERMAL EVAPORATION METHOD

Список литературы

Teske D., Drumheller J.E. // J. Phys.: Condens. Matter. 1999. V. 11 (25). P. 4935. https://doi.org/10.1088/0953-8984/11/25/312
Charnaya E.V., Tien C., Lee M.K. et al. // Indium. N.-Y.: Nova Science Publ. Inc., 2013. P. 1.
Charnaya E.V., Tien C., Lin K.J. et al. // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. P. 467. https://doi.org/10.1103/physrevb.58.467
Wu P.C., Khoury C.G., Kim T.-H. et al. // J. Am. Chem. Soc. 2009. V. 131 (34). P. 12033. https://doi.org/10.1021/ja903321z
Yi C., Kim T.-H., Jiao W. et al. // Small. 2012. V. 8 (17). P. 2721. https://doi.org/10.1002/smll.201200694
Wu P.C., Kim T.-H., Brown A.S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 103119. https://doi.org/10.1063/1.2712508
Losurdo M., Yi C., Suvorova A. et al. // ACS Nano 2014. V. 8 (3). P. 3031. https://doi.org/10.1021/nn500472r
Knight M.W., Coenen T., Yang Y. // ACS Nano. 2015. V. 9 (2). P. 2049. https://doi.org/10.1021/nn5072254
Küpers H., Bastiman F., Luna E. et al. // J. Cryst. Growth. 2017. V. 459. P. 43. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.11.065
Matteini F., Tütüncüoglu G., Potts H. et al. // Cryst. Growth Des. 2015. V. 15. P. 3105. https://doi.org/10.1021/acs.cgd.5b00374
Tauchnitz T., Nurmamytov T., Hübner R. et al. // Cryst. Growth Des. 2017. V. 17 (10). P. 5276. https://doi.org/10.1021/acs.cgd.7b00797
Kozhemyakin G.N., Belov Yu.S., Trufanova M.K. et al. // Inorg. Mater.: Appl. Res. 2022. V. 13 (3). P. 788. https://doi.org/10.1134/S2075113322030200
Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. М.: КомКнига, 2006. 592 с.
Физические величины: Справочник. Ред. Григорьева И.С., Мейлихова Е.З. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.
Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия, 1988. 576 с.
Горшков В.С., Савельев В.Г., Федоров Н.Ф. Физическая химия силикатов и других тугоплавких соединений. М.: Высшая школа, 1988. 400 с.
Могилевский Б.М., Чудновский А.Ф. Теплопроводность полупроводников. М.: Наука, 1972. 536 с.
Чеканова В.Д., Фиалков А.С. // Успехи химии. 1971. Т. 40. № 5. С 777. https://doi.org/10.1070/RC1971v040n05ABEH001927