Светоизлучающие AlGaAs/GaAs-диоды на основе InGaAs скомпенсированных квантовых ям с минимизированными внутренними потерями на поглощение излучения 940 нм
- Авторы: Салий Р.А.1, Малевская А.В.1, Малевский Д.А.1, Минтаиров С.А.1, Надточий А.М.1, Калюжный Н.А.1
-
Учреждения:
- Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
- Выпуск: Том 69, № 4 (2024)
- Страницы: 743-752
- Раздел: ПРИБОРЫ, АППАРАТУРА
- URL: https://rjmseer.com/0023-4761/article/view/673165
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476124040214
- EDN: https://elibrary.ru/XBARUR
- ID: 673165
Цитировать
Полный текст


